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Intel annonce "la plus importante innovation depuis 25 ans"

Le pdg d'Intel Brian Krzanich a déclaré que le  nouveau type de mémoire 3D XPoint, développé par Intel et son partenaire Micron représente la première innovation majeure du secteur depuis l’introduction de la mémoire Flash en 1989.

Le pdg d'Intel Brian Krzanich a déclaré que le nouveau type de mémoire 3D XPoint, développé par Intel et son partenaire Micron représente la première innovation majeure du secteur depuis l’introduction de la mémoire Flash en 1989. - Intel

Les volumes de données traités par les entreprises explosent. Big Data, objets connectés, vidéos, les infrastructures informatiques nécessitent des technologies de stockage de rupture. Intel promet de multiplier par 1000 les performances actuelles avec une technologie baptisée 3D XPoint.

Ce serait l’innovation la plus importante depuis 25 ans dans le domaine des mémoires pour ordinateurs, déclare Brian Krzanich, le pdg d'Intel. Le numéro un mondial des microprocesseurs vient ainsi de dévoiler Optane, une technologie qui débarquera en 2016 et qui devrait remplacer à terme les mémoires flash, présentes dans les serveurs informatiques, installés dans les grands data centers de la planète.

Présentée la semaine dernière lors du grand rassemblement américain Intel Developper Forum, cette technologie promet des vitesses jusqu’à 1.000 fois supérieures aux techniques actuelles de mémoires, en étant 1.000 fois plus endurantes et 10 fois plus dense que les disques actuels.

La mémoire flash utilisée sur les serveurs était au départ destinée aux baladeurs numériques, appareils de photos, téléphones mobiles, clés USB, etc. Elle s’est ensuite peu à peu imposée dans l’architecture de machines beaucoup plus grosses, son prix devenant plus attrayant, et ses performances bien plus rapides que les technologies traditionnelles des disques durs magnétiques. Son principe est de conserver les données sur le support en question, même si l’appareil n’est plus sous tension numérique. Cela permet d’avoir accès beaucoup plus rapidement aux informations dès la mise sous tension de l’appareil et lors de chaque requête d’accès aux données.

Dix ans de recherche

Annoncée comme encore plus performante que la mémoire flash, la nouvelle technologie présentée par Intel et son partenaire Micron –issue d’une décennie de recherche- est complètement différente techniquement. Elle ne s’appuie plus sur des transistors mais sur des lignes conductrices entrecroisées, chaque nœud constituant un espace de stockage. Baptisée 3D XPoint, cette technologie de mémoire serait, selon Intel, parfaitement adaptée à nos usages numériques quotidiens, réduisant encore la latence, accélérant les temps d’accès et capable de stocker encore plus d’informations sur un espace plus dense; idéale pour le traitement massifs de données et donc, pour tout ce qui concerne les applications Big Data, la gestion des objets connectés ou encore les jeux vidéos.

Une bataille entre Intel et Samsung

Les premiers tests montrent une accélération d’un facteur sept. Encore loin du coefficient 1.000 promis mais suffisamment significatif pour porter tous les espoirs liés à cette technologie. Avec elle, Intel et Micron espèrent prendre un avantage sérieux sur leurs concurrents parmi lesquels figurent Samsung -qui a déjà commencé l’an passé à commercialiser ce type de mémoire 3D-, le couple Toshiba et Sandisk ainsi que le coréen SK Hynix.

Reste un dernier écueil, le coût de fabrication. Comme les mémoires flash à leur arrivée, les mémoires 3D sont encore chères à fabriquer. Ce qui freine leur expansion rapide. Seuls les revenus issus des ventes de produits qui l’utiliseront sauront résorber peu à peu cet obstacle.

Frédéric Simottel