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Toshiba : Nouvelle structure de MOSFET à basse consommation d'énergie destinée à des applications radio/analogiques

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Toshiba Corporation (TOKYO:6502) a aujourd'hui annoncé le développement d'un transistor à haut gain de puissance utilisant un processus compatible avec la technologie CMOS. Le transistor réduit efficacement la c

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) a aujourd'hui annoncé le développement d'un transistor à haut gain de puissance utilisant un processus compatible avec la technologie CMOS. Le transistor réduit efficacement la consommation d'énergie des applications frontales radio/analogiques de haute fréquence. Le transistor sera présenté en détail le 12 juin lors du symposium 2013 sur les technologies et circuits VLSI qui se tiendra du 11 au 14 juin à Kyoto au Japon.

La croissance rapide des appareils sans fil et mobiles, y compris des téléphones intelligents et des tablettes, entraîne une demande en circuits radio/analogiques à basse consommation d'énergie et de haute performance. Il est cependant difficile d'appliquer aux circuits radio/analogiques les technologies de pointe des appareils et des processus largement utilisés dans les circuits numériques car la modification de l'échelle du transistor engendre une gêne sonore et la dégradation de l'efficacité du gain énergétique.

Toshiba a résolu ce problème en mettant au point une nouvelle structure utilisant deux matériaux différents comme l'électrode de grille d'un MOSFET simple et un schéma d'intégration de processus utilisant une méthode communément utilisée pour la fabrication de semi-conducteurs. Cette approche permet un contrôle de la longueur de la grille à l'échelle du nanomètre.

Les résultats expérimentaux du transistor ont permis d'obtenir une consommation d'énergie considérablement plus basse sans aucun ralentissement de la vitesse de fonctionnement.

La caractéristique distinctive de la structure est un mince film d'oxyde barrière placé entre les deux matériaux, le Si de type n et le Si de type p de l'électrode grille, qui supprime l'interdiffusion d'impuretés. Un champ électrique de haute puissance sous la zone de l'électrode grille peut ainsi être obtenu, ce qui augmente l'efficacité de l'amplificateur. Une épaisseur de film d'oxyde barrière différente est mise en œuvre avec des matériaux d'électrode de grille différents. Cette structure permet d'obtenir une propriété contrôlée en mode de saturation, y compris à faible voltage.

Le nouveau processus de fabrication est également applicable à l'isolant de grille à haute permittivité (high-k) utilisé pour la fabrication des systèmes LSI numériques de pointe.

À propos de Toshiba

Toshiba est un fabricant leader mondial diversifié qui propose des solutions et commercialise des produits et des systèmes électroniques et électriques de pointe. Le groupe Toshiba apporte innovation et imagination à un large éventail d'activités : produits numériques (notamment téléviseurs LCD, PC portables, solutions de vente au détail et produits multifonctions) ; dispositifs électroniques (y compris des semi-conducteurs, des produits et du matériel de stockage) ; systèmes d'infrastructure industrielle et sociale (dont des systèmes de production d'énergie, des solutions communautaires intelligentes, des systèmes médicaux, des escaliers mécaniques, des ascenseurs et des appareils ménagers).

Toshiba a été fondée en 1875 et exploite aujourd'hui un réseau mondial de plus de 550 entreprises consolidées, avec 202 000 employés dans le monde et des ventes annuelles dépassant les 6,1 trillions de yens (74 milliards USD). Consultez le site Web de Toshiba à l'adresse www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d'une traduction ne doit d'aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d'origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Toshiba Corporation
Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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