BFM Patrimoine

Samsung et GLOBALFOUNDRIES forgent une collaboration stratégique qui livrera une offre multi-fournisseurs de technologie de semi-conducteurs 14 nm FinFET

BFM Patrimoine

La technologie partagée permet une capacité globale de fabrication FinFET 14 nm aux États-Unis et en Corée Samsung Electronics Co., Ltd. et GLOBALFOUNDRIES ont annoncé aujourd'hui une nouvelle collaboration stra

La technologie partagée permet une capacité globale de fabrication FinFET 14 nm aux États-Unis et en Corée

Samsung Electronics Co., Ltd. et GLOBALFOUNDRIES ont annoncé aujourd'hui une nouvelle collaboration stratégique visant à fournir une capacité globale pour la technologie de procédé FinFET de 14 nanomètres (nm). Pour la toute première fois, la technologie FinFET 14 nm la plus avancée du secteur sera disponible à la fois chez Samsung et chez GLOBALFOUNDRIES, garantissant aux clients un approvisionnement que seule peut assurer une véritable compatibilité de conception de sources multiples à l'échelle mondiale. La nouvelle collaboration exploitera les capacités de fabrication de semi-conducteurs mondiales de pointe de la société, avec une production en volume dans les usines de Samsung à Hwaseong, en Corée et Austin, au Texas, ainsi que dans celle de GLOBALFOUNDRIES à Saratoga, New York.

Développé par Samsung et octroyé sous licence à GLOBALFOUNDRIES, le procédé FinFET 14 nm est basé sur une plateforme de technologie qui a déjà gagné du terrain en tant que conceptions system-on-chip (SoC) à gros volume et faible consommation d'énergie de premier choix. La plateforme exploite les atouts des transistors FinFET complètement épuisés tridimensionnels pour surmonter les limitations de la technologie des transistors planaires, avec comme résultat une vitesse 20 % supérieure, une réduction de 35 % de la puissance, et une mise à l'échelle de superficie de 15 % par rapport à la technologie planaire de 20 nm du secteur.

La plateforme est la première technologie FinFET de l'industrie de la fonderie à offrir une véritable mise à l'échelle de superficie à partir de 20 nm. La technologie se distingue par un plus petit pas de grille à contact permettant une densité de connexions logiques supérieure et des cellules binaires SRAM plus petites répondant à la demande croissante pour un contenu de mémoire dans des SoC avancés, tout en exploitant le schéma d'interconnexion éprouvé de 20 nm pour offrir les avantages de la technologie FinFET avec un risque réduit et les délais de commercialisation les plus rapides.

Cette licence de technologie pluriannuelle exclusive fournit dès maintenant des kits de conception de procédé (PDK) permettant aux clients de commencer à concevoir avec des modèles, des manuels de règlements de conception, et des fichiers de technologie été développés en fonction des résultats de silicium utilisant des puces tests FinFET 14 nm. La production en masse de la technologie FinFET 14 nm commencera fin 2014.

« Cette collaboration sans précédent produira pour la technologie FinFET 14 nm une empreinte de capacité mondiale qui fournira à AMD des capacités optimisées permettant de transformer notre PI innovante en silicium sur des technologies d'avant-garde », a déclaré Lisa Su, vice-présidente directrice et directrice générale des unités commerciales mondiales d'AMD. « Le travail que GLOBALFOUNDRIES et Samsung ont réalisé ensemble va permettre à AMD de livrer nos produits révolutionnaires de prochaine génération avec de nouveaux niveaux de capacités de traitement et graphiques à une gamme de dispositifs, allant des dispositifs mobiles à faible puissance aux serveurs denses de prochaine génération et aux solutions intégrées à haute performance ».

« Cette collaboration stratégique étend la proposition de valeur d'un sourçage GDSII multiple unique aux nœuds FinFET. Avec cette plateforme à sources multiples véritable, Samsung et GLOBALFOUNDRIES ont permis aux sociétés de semi-conducteurs sans usine d'accéder à la technologie FinFET en toute facilité et d'augmenter le succès du silicium à la première tentative », a confié le docteur Stephen Woo, président de l'entreprise LSI système, Division des solutions pour dispositifs, Samsung Electronics. « Par le biais de cette collaboration, nous faisons progresser le modèle de soutien et d'entreprise de la fonderie afin de répondre aux exigences des clients ».

« L'annonce faite aujourd'hui confirme l'importance d'une collaboration validant une innovation continue en fabrication de semi-conducteurs », a expliqué Sanjay Jha, P-DG de GLOBALFOUNDRIES. « Avec ce tout premier alignement des capacités de production FinFET de 14 nm du secteur, nous pouvons offrir un plus grand choix et une flexibilité améliorée aux plus grandes sociétés de semi-conducteurs sans usine au monde, tout en aidant l'industrie sans usine à maintenir son leadership sur le marché des dispositifs mobiles ».

À propos de Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co., Ltd. est un leader mondial en technologie qui ouvre de nouvelles possibilités aux gens du monde entier. Grâce à une innovation et à des découvertes incessantes, nous sommes en train de transformer les univers des téléviseurs, des smartphones, des tablettes, des ordinateurs personnels, des appareils photo, des appareils électroménagers, des imprimantes, des systèmes LTE, des dispositifs médicaux, des semi-conducteurs et des solutions DEL. Nous employons 286 000 personnes dans 80 pays et enregistrons des ventes annuelles de 216,7 milliards USD. Pour en savoir plus, veuillez consulter www.samsung.com.

Note à l'attention des rédacteurs : L'entreprise de fonderie de Samsung Electronics a pour mission d'aider les sociétés de semi-conducteurs sans usine et IDM à offrir des solutions à services complets englobant des kits de conception et une PI éprouvée, jusqu'à une fabrication entièrement clé en main pour réussir sur le marché avec des conceptions CI de pointe. Pour plus d'information, veuillez consulter www.samsung.com/Foundry

À propos de GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES est la première fonderie mondiale de semi-conducteurs à services complets à avoir véritablement imposé son empreinte dans le monde entier. Lancée en mars 2009, la société a vite pris de l'ampleur en tant que deuxième plus grande fonderie au monde, offrant une combinaison unique de technologie et de fabrication avancées à plus de 160 clients. Avec des opérations à Singapour, en Allemagne et aux États-Unis, GLOBALFOUNDRIES est la seule fonderie à offrir la flexibilité et la sécurité de centres de fabrication couvrant trois continents. Les trois usines de 300 mm et les cinq usines de 200 mm de la société fournissent la gamme complète de technologies de procédés, des technologies ordinaires aux technologies de pointe. Cette empreinte de fabrication mondiale est étayée par des installations de recherche, de développement et de validation de conception de premier ordre situées à proximité de centres d'activités de semi-conducteurs aux États-Unis, en Europe et en Asie. GLOBALFOUNDRIES appartient à ATIC (Advanced Technology Investment Company). Pour plus d'information, veuillez consulter http://www.globalfoundries.com.

Le texte du communiqué issu d'une traduction ne doit d'aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d'origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

GLOBALFOUNDRIES
Jason Gorss, 518-305-9022
jason.gorss@globalfoundries.com
ou
Samsung Semiconductor
Lisa Warren-Plungy, 408-544-5377
lwarrenplungy@ssi.samsung.com

Business Wire